Gann effekti

Ганн эффекти — Нсимон ҳажмий волт-ампер ҳарактеристикали яримўтказгичларда электр токининг юқори частотали тебранишларини генерациялаш. Г.э.ни америкалик физик Ж. Ганн (Ж. Гунн) электрон ўтказувчанликли ГаАс ва ЖнП намуналарида кузатган (1963). Г.э. доимий кучланиш маромида намуналарда доимий равишда пайдо бўладиган, кўчадиган ва йўқоладиган кучли электр майдон соҳасининг мавжудлиги туфайли юзага келади. Бу соҳа Ганн домени дейилади. Г.э.да тебраниш частотаси намуна узунлигига тескари мутаносиб бўлади. Узунлиги 30—50 мкм ли ГаАс кристаллда тебраниш частотаси -0,3—2 ГГс.

Адабиётлар

• ЎзМЕ. Биринчи жилд. Тошкент, 2000-йил