BELL LABORATORIYASI
Белл лабораторияси
"Белл лабораторияси"- (Белл Лабораториэс, шунингдек, Белл Лабс номи билан ҳам танилган, собиқ АТ&Т Белл Лабораториэс, Белл Телефон Лабораториэс) собиқ америкалик, ҳозир Финландия-Америка корпорацияси, телекоммуникация, электрон ва компютер тизимлари соҳасидаги йирик тадқиқот маркази бо'либ ҳисобланади. Белл Лабс штаб-квартираси АҚШнинг Ню-Жерси штатидаги Муррай Ҳилл шаҳрида жойлашган.
Компания тарихи
1883-йилда АТ&Т Бостонда муҳандислик бўлимига асос солди.инглизча: Мечаниcал Департмент); Кейинчалик у дизайн бўлими деб ўзгартирилди (инглизча: Энгинеэринг Департмент). 1907-йилда Wестерн Элеcтриc ва АТ&Т тадқиқот гуруҳлари Ғарбий электр муҳандислик бўлимига (Ню-Ёрк) бирлаштирилди, улар 1925-йил 1-январда АТ&Т муҳандислик бўлими билан бирлашиб, Белл Телепҳоне Лабораториэс, Инc деб номланган тадқиқот марказини ташкил қилдилар.
1996-йил 30-сентабрда Луcент Течнологиэс АТ&Т компаниясидан чиқиб, Белл Лабс ва Wестерн Элеcтриcни ўз ичига олади.
2002-йилда физик Ян Ҳендрик Шон 2000-йилларнинг бошларида кўплаб тадқиқотларни сохталаштиришда айбланиб, Белл лабораториясидан ишдан бўшатилди. Бу компания тарихидаги биринчи бундай факт эди.
2003-йилда Ню-Жерси нанотехнология лабораторияси[1] Мюррей Ҳиллда ташкил этилган.
2006-йил 1-декабрда Луcент Течнологиэс Франсиянинг Алcател компанияси билан бирлашиб, Алcател-Луcентга айланди. Белл Лабс Алcател-Луcент корпорациясининг тадқиқот марказига айланди.
2008-йилда материалшунослик ва яримўтказгичлар физикаси соҳасидаги фундаментал илмий тадқиқотлар чекланаётгани эълон қилинди. Бунинг ўрнига, тадқиқот маркази бош компания Алcател-Луcент учун энг катта тижорий аҳамиятга эга бўлган технологияларга эътибор қаратади.
2016-йилда Алcател-Луcентни сотиб олиш натижасида Белл Лабс Финландиянинг Нокиа компанияси назоратига ўтди.
Кашфиётлари ва ишланмалари
Йиллар давомида компания радиоастрономия, транзистор, лазер, кварц соати, ахборот назарияси, УНИХ операцион тизими ва C, C++ дастурлаш тиллари каби кўплаб инқилобий технологияларни ишлаб чиқди. Белл Лабс олимлари еттита Нобел мукофотига сазовор бўлган:
- 1937-йил — Клинтон Жозеф Девиссон физика бўйича Жорж Томсон билан „электронларнинг кристаллар диффракциясини экспериментал кашфиёти учун“ материянинг тўлқин табиатининг биринчи экспериментал исботи бўлганлиги учун бўлишди. Ушбу фундаментал иш замонавий қаттиқ электрон электроникада қўлланилишини топди.
- 1956-йил — Жон Бардин, Уилям Бредфорд Шокли ва Уолтер Хаузер Браттаин 1947-йилда транзистор ихтироси учун Нобел мукофотига сазовор бўлишди.
- 1977-йил — Филипп Уоррен Андерсон Невилл Френсис Мотт ва Жон Хасброук Ван Влек билан биргаликда „магнит ва тартибсиз тизимларнинг электрон тузилишини фундаментал назарий тадқиқотлари учун“ мукофотини олди.
- 1978-йил — Арно Аллан Пензиас ва Роберт Вудро Уилсон Катта портлаш назариясида мавжудлиги олдиндан башорат қилинган космик микротўлқинли фон радиациясини кашф этгани учун Нобел мукофотининг ярмини олишди. Мукофотнинг иккинчи ярми Петр Леонидович Капицага топширилди.
- 1997-йил — Стивен Чу Клод Коэн-Танноуджи ва Уилям Дениэл Филипс билан „атомларни лазер нурлари билан совутиш ва ушлаб туриш усулларини ишлаб чиққани учун“ физика мукофотига сазовор бўлди.
- 1998-йил — Ҳорст Людвиг Стормер, Роберт Бетц Лафлин ва Даниэл Чи Цуи каср квант Холл эффектини кашф этганликлари ва тушунтиришлари учун мукофот олдилар.
- 2009-йил — Уиллард Бойл ва Жорж Элвуд Смитга „оптик яримўтказгич сенсорлари — CCД массивларини ишлаб чиқиш учун“ физика бўйича мукофотнинг ярми берилди.
1930-йиллар
- 1933-йилда Карл Янский галактика марказидан келаётган радиотўлқинларни кашф этди — ва радиоастрономиянинг асосини яратди.
Манбалар
- ↑ „アーカイブされたコピー“. 2008-йил 30-майда асл нусхадан архивланган. Қаралди: 16-сентабр 2008-йил. „Белл Лабс Нанофабриcатион“
Бу мақола бирорта туркумга қўшилмаган. Илтимос, мақолага алоқадор туркумлар қўшиб ёрдам қилинг. (Апрел 2024) |