Tunnelli diod
Туннелли диоди ёки Эсаки диоди, туннел эффекти деб аталадиган кванто механик эффект туфайли "манфий қаршилик" га эга бо'лган яримо'тказгичли диод туридир. У 1957 йил август ойида Лео Эсаки, Юрико Куросе ва Такаши Сузуки томонидан, улар Сонй[1] номи билан машҳур Токио Цушин Когёда ишлаётганларида ихтиро қилинган. 1973 йилда Эсаки Браян Жозефсон билан биргаликда ушбу диодларда ишловчи электрон туннел эффектини кашф этгани учун физика бо'йича Нобел мукофотини олади. Роберт Нойс Уилям Шоклида учун ишлаётганида мустақил равишда туннел диоди г'оясини о'йлаб топади, лекин уни амалга ошира олмайди. [2] Туннел диодлари биринчи марта Сонй томонидан 1957 йилда [3] ишлаб чиқарилган, кейин Генерал Элеcтриc ва бошқа компаниялар тахминан 1960 йилларда ишлаб чиқарилади. Бугунги кунда ҳам кам ҳажмда ишлаб чиқарилади. [4]
Туннел диодлари 10 нм (100 Å ) кенгликга эга кучли допинг қилинган (ПН) о'тишга дан иборат. Ог'ир допинг натижасида синган потенсиал то'сиқ пайдо бо'лади, бу ерда Н томонидаги о'тказувчанлик зонаси электронлар ҳолатлари П томонидаги валентлик диапазони коваклар ҳолатлари билан ко'проқ ёки камроқ мос келади. Улар одатда германийдан тайёрланади, аммо галюм арсенид ва кремний материалларидан ҳам тайёрланиши мумкин.
Қо'лланилиши
Ишлаш диапазонининг бир қисмидаги "манфий" дифференсиал қаршилик уларга узиб уловчи ҳистерездан фойдаланган ҳолда осилаторлар ва кучайтиргичлар сифатида ишлашга имкон беради. Улар, шунингдек, частота конверторлари ва детекторлари сифатида ишлатилади. [5] :7–35Уларнинг кичиксиг'ими оддий диодлар ва транзисторлар диапазонидан анча юқори бо'лган микрото'лқинли частоталарда ишлашга имкон беради.
- ↑ Эсаки, Лео (1958-01-15). "Неw Пҳеноменон ин Нарроw Германиум п−н Жунcтионс". Пҳйсиcал Ревиэw 109 (2): 603–604. дои:10.1103/ПҳйсРев.109.603. ҳттп://линк.апс.орг/дои/10.1103/ПҳйсРев.109.603.
- ↑ Берлин, Леслиэ. Тҳе Ман Беҳинд тҳе Миcрочип: Роберт Нойcе анд тҳе Инвентион оф Силиcон Валлей. Охфорд, УК: Охфорд Университй Пресс, 2005. ИСБН 0-19-516343-5.
- ↑ {{Янгиликлар манбаси}} андозасидан фойдаланишда
титле=параметри белгиланиши керак. - ↑ Росткй. „Туннел диодес: тҳе трансистор киллерс“. ЭЭ Тимес. 2010-йил 7-январда асл нусхадан архивланган. Қаралди: 2009-йил 2-октябр.
- ↑ Элеcтрониc Энгинеэрс Ҳандбоок Финк, Доналд Г.: . Неw Ёрк, НЙ: МcГраw Ҳилл, 1975. ИСБН 0-07-020980-4.